高頻下具有低介電常數(shù)和損耗的硅氧烷及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010813742.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111909192A 公開(kāi)（公告）日 2020-11-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN111909192A 申請(qǐng)公布日 2020-11-10
分類號(hào) C07F7/08(2006.01)I;C08F130/08(2006.01)I 分類 有機(jī)化學(xué)〔2〕;
發(fā)明人 房強(qiáng);劉鳳萍;孫晶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)科學(xué)院上海有機(jī)化學(xué)研究所
代理機(jī)構(gòu) 上海一平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院上海有機(jī)化學(xué)研究所
地址 200032上海市徐匯區(qū)零陵路345號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及高頻下具有低介電常數(shù)和損耗的硅氧烷及其制備方法和應(yīng)用。具體地，本發(fā)明公開(kāi)了一種硅氧烷單體，以所述單體固化所得樹脂在高頻下具有低介電常數(shù)和低介電損耗、高耐熱性、良好加工性和低吸水率，特別適合用于制備高頻電路板。