通過優(yōu)化分配多角度分步沉積時間提升薄膜均勻性的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110754381.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113186507A 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113186507A 申請公布日 2021-07-30
分類號 C23C14/54;C23C16/52 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 葉青;林越山;宋維聰 申請（專利權(quán)）人 上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201201 上海市浦東新區(qū)慶達路315號13幢3F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種通過優(yōu)化分配多角度分步沉積時間提升薄膜均勻性的方法。該方法包括步驟，S1：將晶圓調(diào)整至n個不同的預(yù)設(shè)角度，在調(diào)整至各預(yù)設(shè)角度時，在保持晶圓靜止的狀態(tài)下進行氣相沉積，以于晶圓表面沉積薄膜，并收集各角度下薄膜的特征參數(shù)以得到對應(yīng)各角度的薄膜均勻性分布數(shù)據(jù)，其中，n為大于1的整數(shù)；S2：基于得到的所有角度下的薄膜均勻性分布數(shù)據(jù)，采用擬合分析得到最優(yōu)的角度組合以及在各角度的最佳沉積時間分配配比；S3：依最優(yōu)的角度組合對晶圓的角度進行調(diào)整，在調(diào)整至相應(yīng)的各角度后，按對應(yīng)各角度的最佳沉積時間分配配比對晶圓進行相應(yīng)時長的氣相沉積，以于晶圓表面沉積薄膜。本發(fā)明有助于提高薄膜沉積均勻性。