可改善填充均勻性的離子化PVD設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110707392.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113249701A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113249701A 申請公布日 2021-08-13
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 周云;宋維聰 申請（專利權(quán)）人 上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201201上海市浦東新區(qū)慶達(dá)路315號13幢3F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種可改善填充均勻性的離子化PVD設(shè)備，包括腔體、濺射組件、基座和離子調(diào)節(jié)器；濺射組件位于腔體頂部，基座位于腔體內(nèi)，離子調(diào)節(jié)器位于腔體內(nèi)，且位于濺射組件和基座之間；離子調(diào)節(jié)器包括多個磁場調(diào)節(jié)單元，多個磁場調(diào)節(jié)單元相互間隔，并以腔體的中心為中心向外呈放射狀分布；磁場調(diào)節(jié)單元包括片狀磁鐵和電磁線圈中的一種，片狀磁鐵的表面磁場強(qiáng)度沿遠(yuǎn)離腔體中心的方向逐漸增強(qiáng)，且相鄰的片狀磁鐵的磁極面的磁性相反，本發(fā)明經(jīng)改善的結(jié)構(gòu)設(shè)計，在離子調(diào)節(jié)器的磁場調(diào)節(jié)單元之間的扇形間隙內(nèi)形成逆時針方向的水平磁場而產(chǎn)生作用力，可使金屬陽離子從扇形間隙的中間和半中間區(qū)域向邊緣區(qū)域移動，由此可提高邊緣離子濃度和深孔填充均勻性。