一種N型AlGaN的生長方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710688681.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107464862B 公開（公告）日 2018-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN107464862B 申請(qǐng)公布日 2018-12-28
分類號(hào) H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張康;陳志濤;趙維;何晨光;賀龍飛;吳華龍;劉寧煬;廖乾光 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳修遠(yuǎn)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東世紀(jì)專利事務(wù)所有限公司 代理人 劉卉
地址 510651 廣東省廣州市天河區(qū)長興路363號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種N型AlGaN的生長方法，采用直流磁控反應(yīng)濺射設(shè)備和MOCVD設(shè)備制備并依次包括以下步驟：在藍(lán)寶石圖形化凸型襯底上濺射AlN buffer層，生長帶插入層的GaN梯形臺(tái)面層，生長帶插入層的GaN梯形合并層，生長平坦的GaN 2D生長層，生長重?fù)诫s的N型AlGaN生長層，在H2、NH3混合氣氛下降溫冷卻。本發(fā)明采用梯形GaN生長方法，結(jié)合周期性類圓錐體圖形的阻斷作用，解決了在GaN模板內(nèi)插入的AlN層易出現(xiàn)的大應(yīng)力開裂現(xiàn)象，同時(shí)為后續(xù)AlGaN提前釋放應(yīng)力，解決了高質(zhì)量重?fù)诫sN型AlGaN的生長開裂問題。