一種N型AlGaN的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710688681.9 申請日 -
公開（公告）號 CN107464862A 公開（公告）日 2017-12-12
申請公布號 CN107464862A 申請公布日 2017-12-12
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張康;陳志濤;趙維;何晨光;賀龍飛;吳華龍;劉寧煬;廖乾光 申請（專利權）人 深圳修遠電子科技有限公司
代理機構 廣東世紀專利事務所 代理人 劉卉
地址 510651 廣東省廣州市天河區(qū)長興路363號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種N型AlGaN的生長方法，采用直流磁控反應濺射設備和MOCVD設備制備并依次包括以下步驟：在藍寶石圖形化凸型襯底上濺射AlN?buffer層，生長帶插入層的GaN梯形臺面層，生長帶插入層的GaN梯形合并層，生長平坦的GaN?2D生長層，生長重摻雜的N型AlGaN生長層，在H2、NH3混合氣氛下降溫冷卻。本發(fā)明采用梯形GaN生長方法，結合周期性類圓錐體圖形的阻斷作用，解決了在GaN模板內(nèi)插入的AlN層易出現(xiàn)的大應力開裂現(xiàn)象，同時為后續(xù)AlGaN提前釋放應力，解決了高質(zhì)量重摻雜N型AlGaN的生長開裂問題。