圖形化襯底及其制造方法、LED芯片及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310231360.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103337576A 公開（公告）日 2013-10-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN103337576A 申請(qǐng)公布日 2013-10-02
分類號(hào) H01L33/22(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 艾常濤;侯想;王漢華;靳彩霞;董志江 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 迪源光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊立
地址 430205 湖北省武漢市東湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷一路227號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種圖形化襯底及其制造方法、LED芯片及其制造方法。該圖形化襯底為：所述圖形化襯底為藍(lán)寶石襯底，所述藍(lán)寶石襯底上具有周期性交替排列的溝槽和凸起圖形，所述凸起圖形與所述溝槽之間具有平臺(tái)階。本發(fā)明的圖形化襯底，是由兩種或兩種以上單一圖形組合而成的復(fù)合圖形，可以有效降低GaN外延生長(zhǎng)的位錯(cuò)密度，提高內(nèi)量子效率，同時(shí)由于本發(fā)明的圖形襯底光反射面增多，可以加強(qiáng)光的散射，使有源層發(fā)出的光經(jīng)過襯底后反射，增加出光幾率；另外，在生長(zhǎng)GaN的時(shí)候，溝槽里面GaN無(wú)法填滿，會(huì)形成空隙，可以進(jìn)一步增加光的反射。