一種GaN基LED外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310268414.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103337572A 公開(kāi)（公告）日 2013-10-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN103337572A 申請(qǐng)公布日 2013-10-02
分類號(hào) H01L33/12(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅紹軍;李鴻建;艾常濤;靳彩霞;董志江 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 迪源光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊立
地址 430205 湖北省武漢市東湖高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)光谷一路227號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種GaN基LED外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法。該GaN基LED外延結(jié)構(gòu)由下向上依次包括藍(lán)寶石襯底層、GaN成核層、非故意摻雜u-GaN層、N型摻雜GaN層、第一電子儲(chǔ)存區(qū)、GaN隔層、第二電子儲(chǔ)存區(qū)、有源區(qū)多量子阱層、電子阻擋層、P型GaN層、接觸層。本發(fā)明的GaN基LED外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法，能夠減小有源區(qū)材料的應(yīng)力，提高GaN基LED的發(fā)光效率，提高晶體材料質(zhì)量。