一種高外量子效率GaN基LED外延片及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410429040.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN104241468A | 公開(kāi)（公告）日 | 2014-12-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104241468A | 申請(qǐng)公布日 | 2014-12-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 羅紹軍;艾常濤;李鴻建;李四明;靳彩霞;董志江 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 迪源光電股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張瑾 |
| 地址 | 430074 湖北省武漢市東湖開(kāi)發(fā)區(qū)光谷一路227號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明適用于外延片制造領(lǐng)域，提供一種高外量子效率GaN基LED外延片及其制作方法，所述方法包括：在藍(lán)寶石襯底上依次生長(zhǎng)出GaN成核層、非故意摻雜U-GaN層、N型摻雜GaN層、有源區(qū)MQW層、量子阱保護(hù)層、電子阻擋層、P型GaN層、接觸層；所述電子阻擋層為AlN層或者AlN與AlyInzGa1-y-zN形成的超晶格層，0≦y≦1，0≦z≦1，0≦y+z≦1，生長(zhǎng)溫度為700～1200℃，厚度為3～100nm。本發(fā)明中，高勢(shì)壘的薄層AlN能有效起到電子阻擋層的作用，可以減薄整個(gè)P層結(jié)構(gòu)的厚度，可以顯著提高LED器件的外量子效率，而且還可以縮短生長(zhǎng)時(shí)間，降低生產(chǎn)成本。 |
