一種GaN基LED的PGaN結(jié)構(gòu)及其外延生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310231920.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103346224A 公開（公告）日 2013-10-09
申請公布號 CN103346224A 申請公布日 2013-10-09
分類號 H01L33/14(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅紹軍;艾常濤;靳彩霞;董志江 申請（專利權(quán)）人 迪源光電股份有限公司
代理機構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊立
地址 430205 湖北省武漢市東湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷一路227號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種GaN基LED的PGaN結(jié)構(gòu)及其外延生長方法。其中，GaN基LED的PGaN結(jié)構(gòu)為：所述GaN基LED的PGaN結(jié)構(gòu)由下向上依次包括藍寶石襯底層、GaN成核層、第一非故意摻雜u-GaN層、N型摻雜GaN層、有源區(qū)MQW層、量子阱保護層、P型AluInnGa1-u-nN層、第二非故意摻雜u-GaN層、P型GaN層、接觸層，其中，所述第二非故意摻雜u-GaN層為在生長溫度大于或等于1100攝氏度并且小于或等于1250攝氏度范圍內(nèi)生長出來的非故意摻雜u-GaN層。本發(fā)明的GaN基LED的PGaN結(jié)構(gòu)，晶體質(zhì)量好，發(fā)光效率高。