采用倒裝焊接的壓阻式壓力傳感器芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210333490.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102853950B 公開（公告）日 2015-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN102853950B 申請(qǐng)公布日 2015-03-11
分類號(hào) G01L1/18(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 潘允敬;傘海生;李永欽 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門海合達(dá)電子信息股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 馬應(yīng)森
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓N403A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 采用倒裝焊接的壓阻式壓力傳感器芯片及其制備方法，涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)器件。提供一種高可靠性，可避免壓敏電阻不一致和用于將壓阻式壓力傳感器芯片與外電路連接的金屬絲容易斷裂等問題的采用倒裝焊接的壓阻式壓力傳感器芯片及其制備方法。所述采用倒裝焊接的壓阻式壓力傳感器芯片設(shè)有芯片主體，所述芯片主體設(shè)有帶方形壓力腔的硅基底和硅薄膜，所述硅薄膜表面設(shè)有一個(gè)壓敏電阻，所述硅基底與硅薄膜通過硅硅直接鍵合結(jié)合；采用倒裝焊接方法將壓阻式壓力傳感器的芯片焊接在PCB板上；所述壓敏電阻與外電路的3個(gè)與壓敏電阻等阻值的電阻組成一個(gè)完整的惠斯登電橋。制備時(shí)，先制備硅基底部分，再進(jìn)行裝配及后續(xù)工藝，最后連接芯片外部電路。