背照式電荷域相關(guān)雙采樣全局快門圖像傳感器像素
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910442266.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110099232A | 公開(公告)日 | 2019-08-06 |
申請公布號 | CN110099232A | 申請公布日 | 2019-08-06 |
分類號 | H04N5/378;H04N5/357 | 分類 | 電通信技術(shù); |
發(fā)明人 | 吳憲嶺;葛光 | 申請(專利權(quán))人 | 上海礪芯微電子有限公司 |
代理機構(gòu) | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 | 代理人 | 上海礪芯微電子有限公司 |
地址 | 中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)納賢路800號1幢B座901-1室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種背照式電荷域相關(guān)雙采樣全局快門圖像傳感器像素,包括:用于感測光信號的光電二極管、用于暫時存儲光電二極管中產(chǎn)生電荷的電荷存儲單元、輔助電荷存儲單元和浮置擴散區(qū);所述輔助電荷存儲單元和浮置擴散區(qū)之間設(shè)置有用于控制電荷從輔助電荷存儲單元往浮置擴散區(qū)轉(zhuǎn)移的第一傳輸晶體管、所述電荷存儲單元和浮置擴散區(qū)之間設(shè)置有用于控制電荷從電荷存儲單元往浮置擴散區(qū)轉(zhuǎn)移的第二傳輸晶體管,所述光電二極管和電荷存儲單元之間設(shè)置有第三傳輸晶體管。本發(fā)明通過增加設(shè)計輔助電荷存儲單元,使得該輔助電荷存儲單元里面存儲的電荷的數(shù)量的改變量同電荷存儲單元里面存儲的電荷的數(shù)量的改變量相當(dāng),可有效提高傳感器的全局快門效率。 |
