嵌埋式柵極頂面接觸的場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110530881.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113284944B 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN113284944B 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任煒強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳真茂佳半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京維正專利代理有限公司 代理人 吳珊
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道沙河西路健興科技大廈C座310
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種嵌埋式柵極頂面接觸的場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法，晶體管包括漏極外延層、位于頂層可割裂為源極金屬墊與柵極金屬墊的表面金屬層以及位于漏極外延層中的嵌入式源極延伸倒鰭與柵極;柵極對(duì)準(zhǔn)在源極延伸倒鰭上,柵極兩側(cè)各形成有成對(duì)由表面金屬層至漏極外延層內(nèi)部并聯(lián)的對(duì)稱型溝道;利用嵌入式源極延伸倒鰭與柵極同槽不等區(qū)的設(shè)計(jì),在臺(tái)面區(qū)以外個(gè)別導(dǎo)通源極金屬墊與柵極金屬墊,避免了臺(tái)面區(qū)需要設(shè)置接觸孔。本發(fā)明提供的場(chǎng)效晶體管架構(gòu)具有減小柵極溝槽間距以提高電子流密度的效果。