多柵極變化的場效晶體管結構及其制造方法、芯片裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110486545.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113224133B 公開（公告）日 2022-05-17
申請公布號 CN113224133B 申請公布日 2022-05-17
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任煒強 申請（專利權）人 深圳真茂佳半導體有限公司
代理機構 北京維正專利代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道沙河西路健興科技大廈C座310
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種多柵極變化的場效晶體管結構及其制造方法、芯片裝置，晶體管包括位于底層的漏極外延層、位于頂層的源極層以及嵌入于漏極外延層內的源極延伸倒鰭、第一柵極與第二柵極;第一柵極排列在源極延伸倒鰭之間,第二柵極對準在源極延伸倒鰭上,第一柵極與第二柵極的兩側各形成有成對由源極層至漏極外延層內部并聯(lián)的對稱型溝道;優(yōu)選示例中,漏極外延層在對應源極延伸倒鰭的底部部位形成屏蔽柵底部浮空反極型柱底結。本發(fā)明提供的場效晶體管架構為多柵極變化的密集化,具有襯底背面漏極與頂面源極電子流分區(qū)均勻化的效果、以及減少開槽工藝的效果。