功率半導體散熱封裝結構與電子裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122173610.X 申請日 -
公開（公告）號 CN215869372U 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN215869372U 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L23/495（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 謝文華;任煒強 申請（專利權）人 深圳真茂佳半導體有限公司
代理機構 北京維正專利代理有限公司 代理人 朱鵬程
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道沙河西路健興科技大廈C座310
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及功率半導體散熱封裝結構與電子裝置，功率半導體散熱封裝結構包括導線框架、MOSFET芯片和塑封體，導線框架包括散熱載片以及多個傳輸引腳；MOSFET芯片設置于所述散熱載片上；塑封體密封所述MOSFET芯片，塑封體具有散熱頂面以及相對的底面；散熱載片的一表面外露于塑封體的散熱頂面，傳輸引腳由塑封體在與散熱頂面相鄰的側面引出，傳輸引腳遠離散熱頂面的端部向靠近塑封體的底面方向彎折，散熱載片與其中一傳輸引腳一體連接，MOSFET芯片與傳輸引腳電性連接。本申請在電路應用中能夠減小自身熱量對周邊元器件的影響，并且提高散熱效果。