一種SiCMOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122375899.3 申請日 -
公開（公告）號 CN215933612U 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN215933612U 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任煒強;春山正光;謝文華;楊正友 申請（專利權(quán)）人 深圳真茂佳半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 北京維正專利代理有限公司 代理人 朱鵬程
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道沙河西路健興科技大廈C座310
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及碳化硅功率器領(lǐng)域，公開了一種SiC MOSFET器件，SiC MOSFET器件包括襯底、外延底層、基層、源極層、柵極、柵介質(zhì)層、溝道段、溝道長度減縮段、浮空段、隔離層、源極和漏極。本申請的柵介質(zhì)層缺陷密度低，擊穿電壓高，可靠性高。