一種高硅含量的硅碳負極極片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010661225.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113921756A 公開（公告）日 2022-01-11
申請公布號 CN113921756A 申請公布日 2022-01-11
分類號 H01M4/133（2010.01）I;H01M4/134（2010.01）I;H01M4/66（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/583（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚林林;其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請（專利權(quán)）人 蘭溪致德新能源材料有限公司
代理機構(gòu) 北京久誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 余罡
地址 321100浙江省金華市蘭溪經(jīng)濟開發(fā)區(qū)蘭江街道城郊西路17號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高硅含量的硅碳負極極片，包括集流體、形成于所述集流體表面的碳層、形成于碳層表面的硅材料層，所述碳層和所述硅材料層的質(zhì)量比為5:95~50:50。本發(fā)明集流體表面涂碳層，并控制其厚度和孔隙率，可極大地緩解硅負極膨脹，當匹配合適的硅負極材料時，可以實現(xiàn)50%以上的硅負極含量，從而可大幅度提高極片的比容量。