一種具有溫度補償功能的低功耗基準電壓產(chǎn)生電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110364870.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112925375A 公開（公告）日 2021-06-08
申請公布號 CN112925375A 申請公布日 2021-06-08
分類號 G05F1/567 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 岳煥慧;田輝 申請（專利權(quán)）人 北京炬玄智能科技有限公司
代理機構(gòu) 天津璽名知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 100000 北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路8號東升大廈AB座九層905A單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有溫度補償功能的低功耗基準電壓產(chǎn)生電路，該電路包括上電啟動及偏置電路、溫度補償基準電壓產(chǎn)生電路；上電啟動及偏置電路用于提供穩(wěn)定的偏置電壓；溫度補償基準電壓產(chǎn)生電路，包括正溫度系數(shù)參考電壓產(chǎn)生電路、負溫度系數(shù)參考電壓產(chǎn)生電路，所述正溫度系數(shù)參考電壓產(chǎn)生電路通過級聯(lián)的工作在亞閾值區(qū)的NMOS管提供正溫度系數(shù)參考電壓，與負溫度系數(shù)參考電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的電壓補償后，輸出零溫度系數(shù)基準電壓。本發(fā)明的技術(shù)方案用通過粗調(diào)和細調(diào)，產(chǎn)生穩(wěn)定精確的正溫度系數(shù)參考電壓，在保證低功耗的同時極大的降低了芯片面積，且不存在小電流時雙極型晶體管存在的匹配問題。