電子級(jí)多晶硅清洗方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011290207.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112390259B | 公開(公告)日 | 2022-01-28 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112390259B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-28 |
分類號(hào) | C01B33/037(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 吳鋒;張?zhí)煊?孫江橋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 周慧云 |
地址 | 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)楊山路66號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了電子級(jí)多晶硅清洗方法。該電子級(jí)多晶硅清洗方法包括:利用第一至第八清洗液一次對(duì)硅塊進(jìn)行清洗處理。第一清洗液為NaOH溶液或KOH溶液;第二清洗液為HNO3、HF、水的混合液;第三清洗液為HNO3、HF、水的混合液,且相對(duì)于第二清洗液,第三清洗液中HNO3的濃度較低,HNO3與HF的比例較高;第四清洗液為NH4OH溶液;第五清洗液為HF溶液;第六清洗液為H2O2溶液;第七清洗液為HF溶液,且相對(duì)于第五清洗液,第七清洗液中的HF濃度較低;第八清洗液為水。該電子級(jí)多晶硅清洗方法可顯著提高硅塊的清洗效果,并使硅塊整體更加圓潤(rùn),以便于下游加工。 |
