一種超臨界二氧化碳硅塊清洗裝置、硅塊處理系統(tǒng)及方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110749231.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113436998B | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-02-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113436998B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-18 |
分類號(hào) | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 吳鋒;田新;孫江橋;吳鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京錦信誠(chéng)泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 倪青華 |
地址 | 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)楊山路66號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種超臨界二氧化碳硅塊清洗裝置,包括:槽體,提供硅塊清洗的封閉空間;調(diào)壓裝置,在硅塊清洗前將封閉空間內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)至高于二氧化碳的超臨界壓力,且在清洗過(guò)程中保持壓力不變;以及,在硅塊清洗完畢后降低槽體內(nèi)壓力,而使得二氧化碳?xì)饣?;控溫裝置,在硅塊清洗前將封閉空間內(nèi)的溫度調(diào)節(jié)至高于二氧化碳的超臨界溫度,且在清洗過(guò)程中保持溫度不變;壓縮裝置,對(duì)來(lái)自槽體內(nèi)經(jīng)氣化后的二氧化碳進(jìn)行壓縮而形成液態(tài)的二氧化碳;二氧化碳儲(chǔ)槽,對(duì)液態(tài)的二氧化碳進(jìn)行存儲(chǔ)、供給和回收。通過(guò)本發(fā)明,可有效將硅塊微孔中的殘留物沖出,使得硅塊表面雜質(zhì)合格。本發(fā)明中還請(qǐng)求保護(hù)一種硅塊處理系統(tǒng)及方法。 |
