提高多晶硅純度的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111444978.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114014322A 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN114014322A 申請公布日 2022-02-08
分類號 C01B33/035（2006.01）I 分類 無機化學;
發(fā)明人 高召帥;張?zhí)煊?田新;王海豹 申請（專利權(quán)）人 江蘇鑫華半導體科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 趙麗婷
地址 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)楊山路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了提高多晶硅純度的方法。該方法在進行還原工序之前包括：對還原爐和硅芯進行預處理，其中，所述預處理過程包括：（1）將硅芯置于還原爐中，并對所述還原爐進行抽真空處理，以便去除還原爐內(nèi)的空氣；（2）向所述還原爐內(nèi)通入氫氣，以便對所述硅芯進行還原處理；（3）向所述還原爐內(nèi)通入氫氣和含氯氣體的混合氣，以便去除所述還原爐內(nèi)的三五族雜質(zhì)。該方法不僅工藝簡單，還可以同時去除硅芯表面和還原爐內(nèi)腔面及其附件設備表面吸附的雜質(zhì)，能夠使硅芯附近沉積的硅料三五族雜質(zhì)含量降低到與遠離硅芯位置的硅料三五族雜質(zhì)含量相同的水平，達到顯著提高硅料產(chǎn)品的產(chǎn)率與純度的效果。