干燥多晶硅的方法及系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111416887.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113834315A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113834315A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-24 |
| 分類號(hào) | F26B21/14（2006.01）I;F26B25/00（2006.01）I | 分類 | 干燥; |
| 發(fā)明人 | 張?zhí)煊?蔣文武;吳鵬;吳鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 趙麗婷 |
| 地址 | 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)楊山路66號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了干燥多晶硅的方法及系統(tǒng)。該方法包括：向多晶硅表面噴射超臨界CO2，以便去除所述多晶硅表面殘留的水分，所述噴射超臨界CO2的過(guò)程包括先后進(jìn)行的三個(gè)階段，其中：第一階段的噴射壓力為1~3MPa，噴射時(shí)間為10~15min；第二階段的噴射壓力為3~5MPa，噴射時(shí)間為8~12min；第三階段的噴射壓力為4~6MPa，噴射時(shí)間為5~8min，所述第一階段的噴射壓力小于所述第二階段的噴射壓力，所述第二階段的噴射壓力小于所述第三階段的噴射壓力。該干燥多晶硅的方法不僅操作簡(jiǎn)單，且能在常溫下進(jìn)行，而且干燥效率高且干燥效果好，還不會(huì)引入新的雜質(zhì)，能夠同時(shí)保證干燥效果和多晶硅的品質(zhì)。 |
