一種降低輸入電容的半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822005167.3 申請日 -
公開（公告）號 CN209389000U 公開（公告）日 2019-09-13
申請公布號 CN209389000U 申請公布日 2019-09-13
分類號 H01L21/331（2006.01）I; H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬克強; 沈建華; 孟繁新; 蔣興莉; 胡強 申請（專利權）人 成都森未科技有限公司
代理機構 貴陽睿騰知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 中國振華集團永光電子有限公司（國營第八七三廠）; 成都森未科技有限公司
地址 550018 貴州省貴陽市烏當區(qū)新添大道北段270號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種降低輸入電容的半導體器件；包括第一導電類型襯底，第一導電類型襯底的第一主面內(nèi)設有第二導電類型基區(qū)，第二導電類型基區(qū)內(nèi)設置有第一導電類型深擴散區(qū)和第二導電類型深擴散區(qū)第二導電類型基區(qū)內(nèi)設置有第二導電類型深擴散區(qū)。具有低輸入電容的半導體器件結構，將基區(qū)之間的部分柵氧層下面生長厚的第二絕緣層，這樣增大了絕緣層厚度，減小了輸入電容，有利于器件的高頻應用。第二絕緣層上方的多晶是不連續(xù)的，這樣減小了形成電容的面積進而減小了輸入電容，有利于器件的高頻應用，這樣減小了形成電容的面積進而減小了輸入電容，有利于器件的高頻應用。