基于一種DBC布局的集成IGBT封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020989391.5 申請日 -
公開（公告）號 CN211879383U 公開（公告）日 2020-11-06
申請公布號 CN211879383U 申請公布日 2020-11-06
分類號 H01L25/07(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田紹據(jù);嚴(yán)明會;秦瀟峰;胡強;蔣興莉;王思亮 申請（專利權(quán)）人 成都森未科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都天嘉專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都森未科技有限公司
地址 610000四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道北段1480號6棟4層405號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請屬于半導(dǎo)體封裝以及功率模塊領(lǐng)域，特別是基于一種DBC布局的集成IGBT封裝結(jié)構(gòu)，包括三相DBC結(jié)構(gòu)，所述三相DBC結(jié)構(gòu)的外部固定有框架，所述三相DBC結(jié)構(gòu)的正面均焊接有多個芯片，三相DBC結(jié)構(gòu)的背面直接焊接在散熱器上，三相DBC結(jié)構(gòu)中的各芯片之間相互連接，三相DBC結(jié)構(gòu)直流端子處連接有疊層母排。本申請的三相DBC直接焊接到散熱器上，這種工藝比傳統(tǒng)工藝少了一層基板，極大的降低了熱阻，提高了功率密度；同時這種工藝便于自動化實現(xiàn)，提高了生產(chǎn)效率。??