基于一種DBC布局的集成IGBT封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010493508.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111627899A | 公開（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申請公布號 | CN111627899A | 申請公布日 | 2020-09-04 |
| 分類號 | H01L25/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 田紹據(jù);嚴明會;秦瀟峰;胡強;蔣興莉;王思亮 | 申請（專利權(quán)）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 成都天嘉專利事務所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道北段1480號6棟4層405號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請屬于半導體封裝以及功率模塊領域，特別是基于一種DBC布局的集成IGBT封裝結(jié)構(gòu)，包括三相DBC結(jié)構(gòu)，所述三相DBC結(jié)構(gòu)的外部固定有框架，所述三相DBC結(jié)構(gòu)的正面均焊接有多個芯片，三相DBC結(jié)構(gòu)的背面直接焊接在散熱器上，三相DBC結(jié)構(gòu)中的各芯片之間相互連接，三相DBC結(jié)構(gòu)直流端子處連接有疊層母排。本申請的三相DBC直接焊接到散熱器上，這種工藝比傳統(tǒng)工藝少了一層基板，極大的降低了熱阻，提高了功率密度；同時這種工藝便于自動化實現(xiàn)，提高了生產(chǎn)效率。?? |
