一種提高開啟可控性的IGBT器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020383033.X 申請日 -
公開（公告）號 CN211455691U 公開（公告）日 2020-09-08
申請公布號 CN211455691U 申請公布日 2020-09-08
分類號 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 馬克強;金濤;秦瀟峰;蔣興莉;王思亮 申請（專利權(quán)）人 成都森未科技有限公司
代理機構(gòu) 成都天嘉專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都森未科技有限公司
地址 610000四川省成都市中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府大道北段1480號6棟4層405號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是一種能有效解決傳統(tǒng)IGBT開啟可控性較差的提高開啟可控性的IGBT器件結(jié)構(gòu)，包括N?型基區(qū)，N?型基區(qū)內(nèi)設(shè)置有溝槽型柵極區(qū)，溝槽型柵極區(qū)包括柵氧層、多晶柵和柵電極，多晶柵位于柵氧層的內(nèi)部，柵電極位于多晶柵上表面并連接多晶柵；N?型基區(qū)的左上部和右上部設(shè)置有P型重摻雜區(qū)，N?型基區(qū)內(nèi)部表層設(shè)置有N型重摻雜區(qū)，其位于P型深摻雜區(qū)的部分被刻蝕工藝分離。本申請所述P型深摻雜區(qū)，未與溝槽形柵極區(qū)相連接，在柵極加壓開啟過程中，在溝槽下方不易形成連接P型基區(qū)與P型深摻雜區(qū)的反型溝道，P型深摻雜區(qū)的浮空電勢在開啟過程中變化率變小，因此對柵極區(qū)的影響減小，提高了柵極電壓的穩(wěn)定性。??