一種深溝槽絕緣柵極器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010211838.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111354788A | 公開（公告）日 | 2020-06-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111354788A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-30 |
| 分類號(hào) | H01L29/739(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 胡強(qiáng);金濤;秦瀟峰;王思亮;蔣興莉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都天嘉專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道北段1480號(hào)6棟4層405號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是一種深溝槽絕緣柵極器件及其制備方法，包括襯底，襯底上設(shè)置有體區(qū)，體區(qū)上設(shè)置有第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層中設(shè)置有第一絕緣介質(zhì)層，第一絕緣介質(zhì)層下方設(shè)置有第二絕緣介質(zhì)層，第二絕緣介質(zhì)層呈U形，第二絕緣介質(zhì)層的內(nèi)側(cè)設(shè)置有第三絕緣介質(zhì)層，第三絕緣介質(zhì)層呈U形，第三絕緣介質(zhì)層的內(nèi)側(cè)設(shè)置有第四絕緣介質(zhì)層，第二絕緣介質(zhì)層內(nèi)部的第三絕緣介質(zhì)層上方設(shè)置有第一導(dǎo)電層，第二絕緣介質(zhì)層穿過體區(qū)并位于襯底內(nèi)，第一導(dǎo)電層的深度不小于體區(qū)的深度。本申請(qǐng)的溝槽內(nèi)部第一導(dǎo)電層底部與溝槽底部之間還填充又第三絕緣介質(zhì)層，且第三絕緣介質(zhì)層的縱向厚度可根據(jù)設(shè)計(jì)調(diào)整。溝槽內(nèi)部柵電極的深度與溝槽深度可以不一樣。?? |
