一種溝槽型器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010211835.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111370473A 公開（公告）日 2020-07-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN111370473A 申請(qǐng)公布日 2020-07-03
分類號(hào) H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/331 分類 -
發(fā)明人 胡強(qiáng);金濤;秦瀟峰;王思亮;蔣興莉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都森未科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都天嘉專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都森未科技有限公司
地址 610000 四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道北段1480號(hào)6棟4層405號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是一種溝槽型器件及其制備方法，包括襯底，所述襯底上設(shè)置有體區(qū)，所述體區(qū)上設(shè)置有第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層中設(shè)置有第一絕緣介質(zhì)層，第一絕緣介質(zhì)層下方設(shè)置有柵極介質(zhì)層，柵極介質(zhì)層下方設(shè)置有第二絕緣介質(zhì)層，所述第一絕緣介質(zhì)層、柵極介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層連通，所述柵極介質(zhì)層位于體區(qū)中，所述第二絕緣介質(zhì)層位于襯底中，在柵極介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層中設(shè)置有第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層的深度不小于體區(qū)的深度。本申請(qǐng)的結(jié)構(gòu)中，溝槽內(nèi)部柵電極的深度與溝槽深度可以不一樣。將此種結(jié)構(gòu)應(yīng)用于IGBT設(shè)計(jì)中，可以增強(qiáng)載流子注入效應(yīng)，能夠降低IGBT的導(dǎo)通損耗。