一種IGBT模塊用的DBC結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020989365.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211879386U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211879386U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-06 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L25/18(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 秦瀟峰;嚴(yán)明會(huì);胡強(qiáng);蔣興莉;王思亮 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都天嘉專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道北段1480號(hào)6棟4層405號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體封裝以及功率模塊領(lǐng)域，特別是一種IGBT模塊用的DBC結(jié)構(gòu)，其包括陶瓷絕緣基板，所述陶瓷絕緣基板的正面設(shè)置有上橋IGBT芯片、上橋二極管芯片、下橋IGBT芯片、下橋二極管芯片、NTC溫度傳感器和多個(gè)表面銅箔；所述上橋IGBT芯片以及上橋二極管芯片通過(guò)表面銅箔連接，上橋二極管芯片及上橋IGBT芯片連接與下橋IGBT芯片及下橋二極管芯片，下橋IGBT芯片與下橋二極管芯片通過(guò)表面銅箔引出。本申請(qǐng)的布局方式，實(shí)現(xiàn)了多芯片并聯(lián)，有平衡各芯片之間電流的優(yōu)勢(shì)，上橋IGBT集電極與二極管陰極的通過(guò)兩條平行銅箔，可以減少這部分的寄生電感。?? |
