一種浮空區(qū)間隔開(kāi)孔的IGBT版圖結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020383144.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211455692U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211455692U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/739(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 秦瀟峰;馬克強(qiáng);金濤;蔣興莉;王思亮 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都天嘉專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道北段1480號(hào)6棟4層405號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是一種浮空區(qū)間隔開(kāi)孔的IGBT版圖結(jié)構(gòu)，包括芯片版圖底版，芯片版圖底版的上表面開(kāi)設(shè)有橫向周期排布的多組第一柵極溝槽，每組第一柵極溝槽為兩個(gè)，兩個(gè)第一柵極溝槽之間開(kāi)設(shè)有橫向排布的兩個(gè)N+注入窗口，兩個(gè)N+注入窗口之間設(shè)有一個(gè)橫向排布的第一發(fā)射極接觸孔，相鄰的兩組第一柵極溝槽之間的空白區(qū)域?yàn)楦】諈^(qū)，浮空區(qū)內(nèi)設(shè)有縱向周期排布的多組第二柵極溝槽，每組第二柵極溝槽為兩個(gè)，兩個(gè)第二柵極溝槽之間開(kāi)設(shè)有第二發(fā)射極接觸孔。本實(shí)用新型在不增加工藝成本的前提下，可以有效提高開(kāi)啟過(guò)程中，柵極對(duì)di/dt的可控性，通過(guò)調(diào)節(jié)a與b的比例，可以得到不同程度的di/dt的控制性。?? |
