一種提高IGBT開啟可控性的元胞結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020383035.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211455689U | 公開（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211455689U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 金濤;馬克強(qiáng);秦瀟峰;蔣興莉;王思亮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都天嘉專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府大道北段1480號(hào)6棟4層405號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是一種提高IGBT開啟可控性的元胞結(jié)構(gòu)，包括N?型基區(qū)，和場(chǎng)氧化層，場(chǎng)氧化層位于N?型基區(qū)上方，N?型基區(qū)內(nèi)設(shè)置有溝槽型柵極區(qū)，溝槽型柵極區(qū)包括柵氧層、多晶柵和柵電極，多晶柵位于柵氧層的內(nèi)部，并延伸至場(chǎng)氧化層上方，中間介質(zhì)層一部分位于多晶層延伸部分的上方，其余部分位于N?基區(qū)上層，中間介質(zhì)層位于P型重?fù)诫s區(qū)和N型重?fù)诫s區(qū)的部分被刻蝕工藝分割開。本申請(qǐng)結(jié)構(gòu)所述P型深摻雜區(qū)，未與溝槽形柵極區(qū)相接觸，在柵極加壓開啟過程中，在溝槽下方不易形成連接P型基區(qū)與P型深摻雜區(qū)的反型溝道，P型深摻雜區(qū)的浮空電勢(shì)在開啟過程中變化率變小，因此對(duì)柵極區(qū)的影響減小，提高了柵極電壓的穩(wěn)定性。?? |
