滲透裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510514589.1 申請日 -
公開（公告）號 CN105063550B 公開（公告）日 2017-11-28
申請公布號 CN105063550B 申請公布日 2017-11-28
分類號 C23C10/30 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 伊海波;吳樹杰;袁易;翟勇;陳雅;刁樹林;高恩豐;馬建新;苗聚昌;董義;宋彥玲;袁文杰 申請（專利權）人 包頭市天之和磁材設備制造有限公司
代理機構 北京悅成知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 樊耀峰
地址 014030 內蒙古自治區(qū)包頭市包頭稀土高新區(qū)稀土應用產業(yè)園稀土大街8-17號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種滲透裝置及方法。該滲透裝置包括加熱室、旋轉托盤、旋轉托架、料盒、升降機構和傳動裝置，其中，加熱室具有環(huán)形槽，旋轉托盤設置在加熱室下端的開口端下方；旋轉托架安裝在旋轉托盤上；料盒設置在旋轉托架上；旋轉托架和料盒能夠在升降機構作用下，進行上下升降運動；旋轉托架能夠在傳動裝置的作用下在環(huán)形槽內自轉且可繞旋轉托盤中心軸公轉。本發(fā)明提供的滲透方法包括裝料、抽真空、高溫滲透、冷卻和取料等步驟。本發(fā)明的滲透裝置和方法既實現(xiàn)了磁體位置的條件等同性，又實現(xiàn)了加熱環(huán)境的條件等同性，從而滿足了燒結磁體在高溫滲透和風冷卻時所必需的溫度條件一致性，保證了產品性能的一致性。