一種利用激光切割針對(duì)假片內(nèi)單顆IC芯片進(jìn)行蓋印的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910700631.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110416130A 公開（公告）日 2019-11-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN110416130A 申請(qǐng)公布日 2019-11-05
分類號(hào) H01L21/67（2006.01）I; B41K1/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 栗甲婿; 董想 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 沛頓科技（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 東莞市中正知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沛頓科技（深圳）有限公司
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)彩田路1號(hào)廠房第一層2號(hào)，第四層南區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種利用激光切割針對(duì)假片內(nèi)單顆IC芯片進(jìn)行蓋印的方法，本方法針對(duì)wafer上進(jìn)行不同IC蓋印內(nèi)容使用，包括如下步驟：S1：對(duì)wafer進(jìn)行激光切割，在wafer的左右兩側(cè)各切割出4顆或者更多單顆IC放置孔；S2：丟棄wafer上切掉的8顆或者更多IC，在wafer的背面粘上膠帶，制成單顆IC的蓋印治具；S3：將一條需要鐳射不同蓋印的基板跳過蓋印工站，將基板完整契合在蓋印治具上，對(duì)蓋印治具的IC孔位進(jìn)行切除后，放入單顆IC的蓋印治具，可最多一次蓋印8顆或者更多相同內(nèi)容的單顆IC。