一種使用激光環(huán)切解決3D NAND晶圓薄片裂片問題的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910704935.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110323183A 公開（公告）日 2019-10-11
申請公布號 CN110323183A 申請公布日 2019-10-11
分類號 H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭東平;梁啟鵬 申請（專利權）人 沛頓科技（深圳）有限公司
代理機構 東莞市中正知識產(chǎn)權事務所（普通合伙） 代理人 沛頓科技（深圳）有限公司
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)彩田路1號廠房第一層2號,第四層南區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種使用激光環(huán)切解決3D NAND晶圓薄片裂片問題的方法，貼膜：在晶圓外部貼膜，覆蓋整個晶圓；激光環(huán)切：3D NAND晶圓的存儲單元，在高倍顯微鏡下觀察可見每個晶圓顆粒有許多7um左右的凸起來的存儲單元，而邊緣的邊角料因為沒有存儲單元，導致邊緣真空吸取不良，容易凸起，受到外力時容易破損，因此使用激光環(huán)切對3D NAND晶圓的存儲單元邊緣進行激光切割；薄片+貼膜：對激光切割后的晶圓進行薄片處理，并在此進行貼膜操作；劃片：通過P1?P3操作后，進行晶圓的劃片處理。