一種利用激光切割針對(duì)假片內(nèi)單顆IC芯片進(jìn)行蓋印的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910700631.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110416130B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110416130B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-03 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/67;B41K1/02 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 栗甲婿;董想 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 沛頓科技（深圳）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 東莞市中正知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 徐康 |
| 地址 | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)彩田路1號(hào)廠(chǎng)房第一層2號(hào)，第四層南區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種利用激光切割針對(duì)假片內(nèi)單顆IC芯片進(jìn)行蓋印的方法，本方法針對(duì)wafer上進(jìn)行不同IC蓋印內(nèi)容使用，包括如下步驟：S1：對(duì)wafer進(jìn)行激光切割，在wafer的左右兩側(cè)各切割出4顆或者更多單顆IC放置孔；S2：丟棄wafer上切掉的8顆或者更多IC，在wafer的背面粘上膠帶，制成單顆IC的蓋印治具；S3：將一條需要鐳射不同蓋印的基板跳過(guò)蓋印工站，將基板完整契合在蓋印治具上，對(duì)蓋印治具的IC孔位進(jìn)行切除后，放入單顆IC的蓋印治具，可最多一次蓋印8顆或者更多相同內(nèi)容的單顆IC。 |
