一種PIN結構核電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022442243.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214012523U 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN214012523U 申請公布日 2021-08-20
分類號 G21H1/06（2006.01）I 分類 核物理；核工程;
發(fā)明人 張玲玲 申請（專利權）人 無錫華普微電子有限公司
代理機構 無錫市大為專利商標事務所（普通合伙） 代理人 殷紅梅
地址 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道202號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及半導體器件技術領域，具體公開了一種PIN結構核電池，包括半導體材料襯底，所述半導體材料襯底的上部由下而上依次形成P型半導體層、陽極金屬層、放射性同位素層；所述半導體材料襯底的下部形成溝槽結構，所述溝槽結構的上面形成N型半導體層，所述溝槽結構的下面形成陰極金屬層；其中，所述N型半導體層位于所述半導體材料襯底下方。本實用新型提供的PIN結構核電池，解決了I區(qū)過長導致的電子空穴對擴散問題，可以提高對放射性同位素源的探測效率。