一種核電池結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111263270.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114023482A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114023482A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | G21H1/06（2006.01）I | 分類(lèi) | 核物理；核工程; |
| 發(fā)明人 | 郭鳳麗;張玲玲 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 無(wú)錫華普微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫市大為專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 殷紅梅;陳麗麗 |
| 地址 | 214135江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道202號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及核電池技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種核電池結(jié)構(gòu)，其中，包括：第一核電池芯片、第二核電池芯片以及位于第一核電池芯片和第二核電池芯片中間的放射性同位素源層，第一核電池芯片和第二核電池芯片均包括第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底、在第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底上依次設(shè)置的第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層、第一摻雜濃度的第二導(dǎo)電類(lèi)型外延層、第二摻雜濃度的第二導(dǎo)電類(lèi)型外延層、第二導(dǎo)電類(lèi)型歐姆接觸層和金屬鍵合層，放射性同位素源層分別與第一核電池芯片的金屬鍵合層以及第二核電池芯片的金屬鍵合層接觸，第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底背離放射性同位素源層的一面均設(shè)置第一導(dǎo)電類(lèi)型歐姆接觸層。本發(fā)明還公開(kāi)了一種核電池的制備方法。本發(fā)明提供的核電池結(jié)構(gòu)能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率。 |
