一種抗LeTID鈍化接觸太陽能電池及其生產(chǎn)工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011377994.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112510116A | 公開(公告)日 | 2021-03-16 |
申請公布號 | CN112510116A | 申請公布日 | 2021-03-16 |
分類號 | H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳沖;任現(xiàn)坤;楊曉君;張洪巖;葛永見;姜川;郭瑞靜;曹振;韓其家;宋超;仲偉佳 | 申請(專利權(quán))人 | 山東力諾太陽能電力股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 濟南舜源專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 于曉曉 |
地址 | 250103山東省濟南市歷城區(qū)經(jīng)十東路30766號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種抗LeTID鈍化接觸太陽能電池及其生產(chǎn)工藝,所述生產(chǎn)工藝包括(1)制絨;(2)擴散;(3)激光二次擴散;(4)刻蝕水洗;(5)PECVD:在電池正面沉積減反膜;(6)磁控濺射:在電池背面沉積SiC層;(7)背面鈍化:在電池背面設(shè)置鈍化疊層,所述鈍化疊層為AlOx+SiNx;(8)背面摻硼、激光開窗:在電池背面旋涂硼源,之后用激光對硼源進行摻雜;(9)絲印燒結(jié)。本發(fā)明抗LeTID鈍化接觸太陽能電池采用SiC層阻擋氫向硅沉底遷移,通過對重摻雜、疊層鈍化及硼點背場的研究,使電池轉(zhuǎn)化效率達到23.28%,少子壽命達到4500μs。?? |
