一種晶硅太陽能電池表面鈍化工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011450716.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112563372A | 公開（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112563372A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 任現(xiàn)坤;楊曉君;仲偉佳;葛永見;曹振;郭瑞靜;陳沖 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山東力諾太陽能電力股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 牟京霞 |
| 地址 | 250103山東省濟(jì)南市歷城區(qū)經(jīng)十東路30766號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種晶硅太陽能電池表面鈍化工藝，過程為：設(shè)定特氣柜中的氣體比例，控制SiH4與NH3體積比為1.5?2:1，并控制進(jìn)入工作腔內(nèi)的氣體壓力在20?25Pa之間；設(shè)定工作腔中，襯底托臺(tái)的加熱溫度為220℃，調(diào)整射頻頻率在200?230KHz之間；將潔凈的基片送至工作腔，置于襯底托臺(tái)上加熱；運(yùn)行工藝，完成對(duì)電池表面鈍化。該鈍化工藝中，通過控制氣體比例、氣體壓力，使工作腔內(nèi)維持一定的離子濃度；通過控制襯底托臺(tái)的加熱溫度，可避免基片產(chǎn)生裂痕同時(shí)利于鈍化膜在基片上生長(zhǎng)；通過控制射頻頻率，使工作腔內(nèi)的離子能夠均勻的生長(zhǎng)在基片表面，提高基片表面鈍化層的均勻性，進(jìn)而達(dá)到抑制基片表面缺陷的優(yōu)點(diǎn)。?? |
