碳化硅單晶生長用坩堝結(jié)構(gòu)和碳化硅單晶的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111095367.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113789572A 公開（公告）日 2021-12-14
申請公布號 CN113789572A 申請公布日 2021-12-14
分類號 C30B29/36;C30B23/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 雍慶;婁艷芳;劉春俊;王光明;姚靜;張寧;彭同華;楊建 申請（專利權(quán)）人 北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張麗娜
地址 102600 北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種碳化硅單晶生長用坩堝結(jié)構(gòu)和碳化硅單晶的生長方法，坩堝結(jié)構(gòu)包括坩堝主體，設(shè)有碳化硅原料腔體和頂部開口；封閉所述頂部開口的坩堝蓋，所述坩堝蓋底部設(shè)置有籽晶；至少布置在碳化硅原料腔體的目標(biāo)原料位以下的石墨過濾結(jié)構(gòu)，所述石墨過濾結(jié)構(gòu)上開設(shè)有多層通氣孔，且相鄰的兩層所述通氣孔在豎直方向上錯位布置。這樣一來，在碳化硅單晶生長過程中，碳化硅原料升華形成的氣流會經(jīng)過石墨過濾結(jié)構(gòu)向上進行輸運，在氣流向上輸運的過程中，氣流中的碳顆粒等雜質(zhì)會因石墨過濾結(jié)構(gòu)的阻擋而過濾掉，而氣流可以穿過通氣孔，傳輸不會受到影響，從而阻止碳顆粒等雜質(zhì)進入碳化硅單晶生長界面而形成包裹物，能夠有效減少碳化硅單晶中的包裹物。