一種晶片的清洗方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110976594.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113675073A 公開（公告）日 2021-11-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113675073A 申請(qǐng)公布日 2021-11-19
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;B08B3/02（2006.01）I;B08B3/08（2006.01）I;B08B3/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李秀麗;鄒宇;張平;郭鈺 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 紀(jì)志超
地址 221000江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)創(chuàng)業(yè)路26號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種晶片清洗方法，包括：將晶片依次進(jìn)行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高濃度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等濃度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和QDR6清洗。本發(fā)明提供的清洗方法對(duì)具體污物針對(duì)性強(qiáng)，從臟污去除原理上設(shè)計(jì)了清洗流程，清洗流程簡(jiǎn)短，無操作危險(xiǎn)。