一種晶片的清洗方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110976594.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113675073A | 公開(公告)日 | 2021-11-19 |
申請公布號 | CN113675073A | 申請公布日 | 2021-11-19 |
分類號 | H01L21/02(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李秀麗;鄒宇;張平;郭鈺 | 申請(專利權)人 | 北京天科合達半導體股份有限公司 |
代理機構 | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 紀志超 |
地址 | 221000江蘇省徐州市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)創(chuàng)業(yè)路26號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種晶片清洗方法,包括:將晶片依次進行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高濃度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等濃度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和QDR6清洗。本發(fā)明提供的清洗方法對具體污物針對性強,從臟污去除原理上設計了清洗流程,清洗流程簡短,無操作危險。 |
