一種高結(jié)晶質(zhì)量碳化硅單晶片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110909300.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113604883A 公開（公告）日 2021-11-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN113604883A 申請(qǐng)公布日 2021-11-05
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 婁艷芳;劉春俊;王光明;姚靜;雍慶;趙寧;彭同華;楊建 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 紀(jì)志超
地址 102600北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號(hào)2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅單晶片，所述碳化硅單晶片的原子面向C面彎曲，Si面原子面的彎曲度大于C面原子面的彎曲度。本發(fā)明提供了一種（0001）原子面向C面彎曲，且Si面原子面彎曲度大于C面原子面彎曲度的碳化硅單晶片，以本發(fā)明提供的SiC單晶片為襯底進(jìn)行Si面外延，高溫時(shí)，原子面都向鋪平方向形變，且Si面變形量大于C面變形量，外延結(jié)束降溫之后，襯底原子面傾向于恢復(fù)初始的形狀，于是Si面原子面與外延層具有相反的拉伸方向，在一定程度上緩解了外延片向上凸的程度，大大降低了由于外延后面型不合格的比例。本發(fā)明還提供了一種碳化硅單晶片的制備方法。