一種碳化硅晶體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111399398.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114059155A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114059155A 申請公布日 2022-02-18
分類號 C30B23/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉春俊;王光明;婁艷芳;姚靜;雍慶;王波;趙寧;彭同華;楊建 申請（專利權(quán)）人 北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙青朵
地址 102600北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅晶體的制備方法，包括以下步驟：A）將碳化硅原料置于坩堝底部，將碳化硅籽晶置于坩堝頂部，所述碳化硅籽晶與坩堝非接觸面設(shè)置有硅膜；B）將步驟A）得到容器置于碳化硅晶體生長單晶爐中，密封并抽真空，再充入生長氣體，然后進行脫膜處理，晶體生長后得到碳化硅晶體。本申請通過在碳化硅籽晶表面制備硅膜，可以有效解決籽晶表面沒有做任何二次處理帶來的加工過程存留少量劃傷缺陷，粘接操作過程在籽晶表面引入新的損傷，生長過程中溫度設(shè)置不合理導(dǎo)致籽晶碳化等問題導(dǎo)致碳化硅籽晶初期接長的缺陷較多，大大提升碳化硅晶體生長成功率及生長質(zhì)量。