一種浮雕型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010220339.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113448013A | 公開(公告)日 | 2021-09-28 |
申請公布號 | CN113448013A | 申請公布日 | 2021-09-28 |
分類號 | G02B6/124(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;G02B6/132(2006.01)I;G02B27/01(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
發(fā)明人 | 喬文;羅明輝;李瑞彬;楊博文;李玲;成堂東;朱平;陳林森 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州蘇大維格科技集團(tuán)股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蘇州簡理知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 楊瑞玲 |
地址 | 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)新昌路68號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種浮雕型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)及其制作方法,包括如下步驟:第一步,在高折射率基底的表面依次覆蓋一層高折射率材質(zhì)層和一層低折射率材質(zhì)層;第二步,在所述低折射率材質(zhì)層上形成納米結(jié)構(gòu)圖案,將所述納米結(jié)構(gòu)圖案轉(zhuǎn)移至所述高折射率材質(zhì)層;第三步,清除所述低折射率材質(zhì)層,獲得具有高折射率納米結(jié)構(gòu)的高折射率基底。本發(fā)明所述的浮雕型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制作方法確實(shí)解決了現(xiàn)有技術(shù)中高折射率基底刻蝕難度大的問題,另辟蹊徑解決了制造難度,推進(jìn)顯示技術(shù)的發(fā)展。 |
