一種單原子層的二硫化鎢二維材料及其逆向物理氣相沉積的制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911032943.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110734092B 公開（公告）日 2021-01-19
申請公布號(hào) CN110734092B 申請公布日 2021-01-19
分類號(hào) C23C14/54;C23C14/06;C01G41/00 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李京波;徐志軍;李翎;霍能杰;趙艷;魏鐘鳴;陳洪宇 申請（專利權(quán)）人 華南師范大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 廣東廣信君達(dá)律師事務(wù)所 代理人 楊曉松
地址 510630 廣東省廣州市天河區(qū)石牌中山大道西55號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于壓電子技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種WS2二維材料及其制備方法和應(yīng)用。該WS2二維材料是將分別裝載WS2粉末和清洗的SiO2/Si襯底放置的加熱區(qū)的中央和邊緣處；通入惰性氣體，氣流的方向?yàn)閺囊r底流向WS2粉末的方向，以55～60ml/min通氣排盡空氣，當(dāng)至1080～1090℃時(shí)，改變惰性氣體的流向；當(dāng)至1000～1200℃時(shí)，流速為30～100ml/min；降溫至900～1000℃，流速為20～80ml/min，至800～900℃時(shí)，流速為5～50ml/min，降至室溫在SiO2層表面上制得。本發(fā)明WS2制得的壓電器件具有優(yōu)良的壓電性能和穩(wěn)定的動(dòng)態(tài)壓電信號(hào)，壓電輸出電流達(dá)100～800pA。