一種弱相位漂移的鈮酸鋰波導(dǎo)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010410353.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111522154A | 公開(公告)日 | 2020-08-11 |
申請公布號 | CN111522154A | 申請公布日 | 2020-08-11 |
分類號 | G02F1/035(2006.01)I;G02F1/03(2006.01)I | 分類 | - |
發(fā)明人 | 梁寒瀟;宋一品;周穎聰;巫海蒼;毛文浩;宋時(shí)偉 | 申請(專利權(quán))人 | 上海徠刻科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京卓唐知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 卜榮麗 |
地址 | 200240上海市閔行區(qū)劍川路951號5幢1層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種弱相位漂移的鈮酸鋰波導(dǎo),包括鈮酸鋰層、金屬電極以及基底層,所述鈮酸鋰層包括鈮酸鋰中心脊和向鈮酸鋰中心脊兩側(cè)延伸的鈮酸鋰延伸面,所述鈮酸鋰中心脊的上表面設(shè)有金屬氧化物層,所述基底層位于所述鈮酸鋰層的下表面,所述基底層由硅,二氧化硅,硅和二氧化硅多層材料或者二氧化硅、金屬與硅的多層材料制成,以此進(jìn)一步達(dá)到達(dá)到抑制相位漂移的目的。相較于其他參雜或者其他結(jié)構(gòu),本結(jié)構(gòu)制作方法簡單,同時(shí)產(chǎn)生非常好的相位漂移抑制效果。?? |
