一種弱相位漂移的鈮酸鋰波導(dǎo)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020807746.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN212694197U 公開（公告）日 2021-03-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN212694197U 申請(qǐng)公布日 2021-03-12
分類號(hào) G02F1/035(2006.01)I;G02F1/03(2006.01)I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 梁寒瀟;宋一品;周穎聰;巫海蒼;毛文浩;宋時(shí)偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海徠刻科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京知果之信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 卜榮麗
地址 200240上海市閔行區(qū)劍川路951號(hào)5幢1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種弱相位漂移的鈮酸鋰波導(dǎo)，包括鈮酸鋰層、金屬電極以及基底層，所述鈮酸鋰層包括鈮酸鋰中心脊和向鈮酸鋰中心脊兩側(cè)延伸的鈮酸鋰延伸面，所述鈮酸鋰中心脊的上表面設(shè)有金屬氧化物層，所述基底層位于所述鈮酸鋰層的下表面，所述基底層由硅，二氧化硅，硅和二氧化硅多層材料或者二氧化硅、金屬與硅的多層材料制成，以此進(jìn)一步達(dá)到達(dá)到抑制相位漂移的目的。相較于其他參雜或者其他結(jié)構(gòu)，本結(jié)構(gòu)制作方法簡(jiǎn)單，同時(shí)產(chǎn)生非常好的相位漂移抑制效果。??