一種高導(dǎo)熱高反射率的絕緣核殼復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備及應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510293744.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104900793B 公開（公告）日 2017-11-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN104900793B 申請(qǐng)公布日 2017-11-24
分類號(hào) H01L33/64(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣婷婷;陸婷;孫卓;張哲娟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州晶能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京連城創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 華東師范大學(xué);上海納晶科技有限公司;蘇州晶能科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)科苑路1278號(hào)3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及絕緣核殼復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備領(lǐng)域，具體的講是一種高導(dǎo)熱高反射率的絕緣核殼復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備及應(yīng)用,本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比，制得的納米至微米級(jí)絕緣核殼復(fù)合結(jié)構(gòu)具有高導(dǎo)熱、高反射率和優(yōu)良的絕緣性，同時(shí)在硅膠中能穩(wěn)定分散，采用的合成工藝環(huán)保、簡(jiǎn)單、低成本；且提出的一步封裝法即印刷高反射薄膜層的同時(shí)封裝LED芯片，簡(jiǎn)化了模塊封裝步驟，提高了器件的散熱效率。