液晶材料離子密度的測試方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811182018.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109031732B 公開（公告）日 2021-02-26
申請公布號 CN109031732B 申請公布日 2021-02-26
分類號 G01N21/21(2006.01)I;G01N21/59(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 李建;安忠維;胡明剛;李娟利;楊曉哲;萬丹陽;莫玲超;車昭毅 申請（專利權(quán)）人 西安彩晶光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中國兵器工業(yè)集團(tuán)公司專利中心 代理人 梁勇
地址 710065陜西省西安市雁塔區(qū)丈八東路168號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種液晶材料中離子密度的測試方法。通過對不同類型介電常數(shù)的液晶材料，選擇合適的液晶分子取向方式和液晶測試盒，對注有液晶材料的測試盒施加三角波電壓，得到電壓?電流曲線，對其中離子運(yùn)動(dòng)電流峰面積積分，獲得離子密度數(shù)值。該方法避免了液晶分子指向矢旋轉(zhuǎn)帶來的電流峰干擾，解決了液晶材料中殘留離子的定量測試難題。本發(fā)明適用于液晶材料的質(zhì)量可靠性測試評價(jià)，尤其是液晶材料中離子密度的測試評價(jià)。??