碳化硅單晶的制備方法與碳化硅支撐系統(tǒng)與單晶生長爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210138010.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114438588A 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN114438588A 申請公布日 2022-05-06
分類號 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊麗雯;張?jiān)苽?何麗娟;程章勇;康亞榮;李天運(yùn) 申請（專利權(quán)）人 合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王嬌嬌
地址 231200安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道106號明珠產(chǎn)業(yè)園1#樓1層A區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種碳化硅單晶的制備方法與碳化硅支撐系統(tǒng)與單晶生長爐，所述制備方法包括：先在一級原料合成室內(nèi)放置粒徑不一的混合粉料；然后通過旋轉(zhuǎn)一級旋轉(zhuǎn)桿，將生長腔室下底板的非通孔位置與所述一級原料合成室上頂板的第一通孔和第二通孔對準(zhǔn)，阻斷所述混合粉料向所述生長腔室運(yùn)動，進(jìn)行粉料合成；最后通過旋轉(zhuǎn)所述一級旋轉(zhuǎn)桿，控制所述一級原料合成室上頂板的第一通孔或第二通孔對準(zhǔn)所述生長腔室下底板的的第三通孔，以保證向所述生長腔室供料濃度的平穩(wěn)運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)單晶生長。應(yīng)用本發(fā)明提供的技術(shù)方案，可以有效減少碳化硅單晶生長過程中進(jìn)入的含N量及后期組分不足造成的臺階寬化，避免堆垛層錯的產(chǎn)生。