一種摻雜劑及其制備方法以及晶型可控的半絕緣碳化硅晶體生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210384443.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114686970A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114686970A 申請公布日 2022-07-01
分類號 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 程章勇;張云偉;何麗娟;楊麗雯;李天運(yùn) 申請（專利權(quán)）人 合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 231200安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道106號明珠產(chǎn)業(yè)園1#樓1層A區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于實(shí)現(xiàn)碳化硅半絕緣性的摻雜劑，所述摻雜劑為碳化釩塊體。本發(fā)明現(xiàn)將碳化釩進(jìn)行燒結(jié)，形成碳化釩塊體，在晶體生長時，將碳化釩塊體放入碳化硅粉料中，通過碳化釩塊體的體表面積、位置、數(shù)量等工藝參數(shù)來實(shí)現(xiàn)摻雜控制，由于該方法中沒有石墨容器，不會在生長過程中產(chǎn)生石墨容器的被腐蝕而出現(xiàn)摻雜劑濃度的突變等現(xiàn)象。同時，由于是碳化釩塊體，在碳化硅晶體生長中揮發(fā)較慢，所以整體上呈現(xiàn)線性；同時由于塊體的揮發(fā)，表面積會出現(xiàn)不明顯的降低，濃度會出現(xiàn)非常小的變小趨勢，這與晶體生長中N、B等淺能級濃度由“多”變“少”相一致。更有利于晶體的在軸向方向上電阻值的均勻性。